Name: frontiers in nanoscale science of micron/submicron devices (en Inglés)
Price: 517320.00 CLP
Availability: InStock
Author: Jauho, A. -P ; Buzaneva, Eugenia V.
ISBN: 9789401072946

portada frontiers in nanoscale science of micron/submicron devices (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Ilustrado por

A. -P Jauho

Eugenia V. Buzaneva

Editorial

Springer

Autor

Jauho, A. -P ; Buzaneva, Eugenia V.

Año

2011

Idioma

Inglés

N° páginas

554

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

23.4 x 15.6 x 3.0 cm

Peso

0.79 kg.

ISBN

9401072949

ISBN13

9789401072946

Categorías

Ingeniería aplicada de materiales electrónicos, magnéticos y ópticos
Ingeniería eléctrica
Dispositivos y materiales electrónicos

frontiers in nanoscale science of micron/submicron devices (en Inglés)

A. -P Jauho (Ilustrado por) · Eugenia V. Buzaneva (Ilustrado por) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "frontiers in nanoscale science of micron/submicron devices (en Inglés)"

Nanoscale Science, whose birth and further growth and development has been driven by the needs of the microelectronics industry on one hand, and by the sheer human curiosity on the other hand, has given researchers an unprecedented capability to design and construct devices whose function- ality is based on quantum and mesoscopic effects. A necessary step in this process has been the development of reliable fabrication techniques in the nanometer scale: two-dimensional systems, quantum wires and dots, and Coulomb blockade structures with almost ideal properties can nowadays be fabricated, and subjected to experimental studies. How does one fabricate micro/nanostructures of low dimensionality? How does one perform a nanoscale characterization of these structures? What are the fundamental properties typical to the structures? Which new physical processes in nanostructures need to be understood? What new physical processes may allow us to create new nanostructures? An improved understanding of these topics is necessary for creation of new concepts for future electronic and optoelectronic devices and for characterizing device structures based on those concepts.