Name: Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (en Inglés)
Price: 178850.00 CLP
Availability: InStock
Author: Farzan Jazaeri; Jean-Michel Sallese
ISBN: 9781107162044

portada Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (en Inglés)

Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Cambridge University Press

Autor

Farzan Jazaeri; Jean-Michel Sallese

Año

2018

Idioma

Inglés

N° páginas

252

Encuadernación

Tapa Dura

ISBN13

9781107162044

N° edición

Categorías

Ingeniería aplicada de materiales electrónicos, magnéticos y ópticos

Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (en Inglés)

Farzan Jazaeri; Jean-Michel Sallese (Autor) · Cambridge University Press · Tapa Dura

Libro Nuevo Importado

Envío: 11 a 15 días háb.

$ 357.690$ 178.850

-50%

Costos de importación incluídos en el precio ✅

Libro Nuevo

Quedan 19 unidades

$ 178.850

Llega entre el 06 Jul y el 10 Jul a Santiago, Región Metropolitana. Seleccionar ubicación

Agregar a lista de deseos

Reseña del libro "Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (en Inglés)"

The first book on the topic, this is a comprehensive introduction to the modeling and design of junctionless field effect transistors (FETs). Beginning with a discussion of the advantages and limitations of the technology, the authors also provide a thorough overview of published analytical models for double-gate and nanowire configurations, before offering a general introduction to the EPFL charge-based model of junctionless FETs. Important features are introduced gradually, including nanowire versus double-gate equivalence, technological design space, junctionless FET performances, short channel effects, transcapacitances, asymmetric operation, thermal noise, interface traps, and the junction FET. Additional features compatible with biosensor applications are also discussed. This is a valuable resource for students and researchers looking to understand more about this new and fast developing field.