Name: Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor (en Inglés)
SKU: 50887995
Price: 57300.00 CLP
Availability: InStock
Author: Amiri, Iraj Sadegh ; Ghadiry, Mahdiar
ISBN: 9789811065491

portada Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor (en Inglés)

Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Iraj Sadegh Amiri

Mahdiar Ghadiry

Editorial

Springer

Año

2017

Idioma

Inglés

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9789811065491

N° edición

Categorías

Nanotecnología
Ciencia de materiales
Electrónica: circuitos y componentes

Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor (en Inglés)

Iraj Sadegh Amiri (Autor) · Mahdiar Ghadiry (Autor) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor (en Inglés)"

Provides analytical models for lateral electric field and length of velocity saturation region of graphene nanoribbon based field effect transistors (GNR-based FETs)Discusses an analytical model for the ionization coefficient and breakdown voltage of GNR-based FETsPresents simulations for GNR-based FETs in terms of breakdown voltage and calculates the maximum operating voltage of the typical GNRFETs at different conditions