Name: Grundlagen Und Anwendungen Der Ferroelektrizität. Das Rauschen, Ein Ebenso Interessantes Wie Störendes Phänomen: 238. Sitzung Am 3. Dezember 1975 in D (en Alemán)
Price: 70640.00 CLP
Availability: InStock
Author: Müser, Horst E.
ISBN: 9783531082615

portada Grundlagen Und Anwendungen Der Ferroelektrizität. Das Rauschen, Ein Ebenso Interessantes Wie Störendes Phänomen: 238. Sitzung Am 3. Dezember 1975 in D (en Alemán)

Grundlagen Und Anwendungen Der Ferroelektrizität. Das Rauschen, Ein Ebenso Interessantes Wie Störendes Phänomen: 238. Sitzung Am 3. Dezember 1975 in D (en Alemán)

Formato

Libro Físico

Autor

Horst E. Müser

Editorial

Vs Verlag Fur Sozialwissenschaften

Idioma

Alemán

N° páginas

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

24.4 x 17.0 x 0.4 cm

Peso

0.14 kg.

ISBN13

9783531082615

Categorías

Enciclopedias y obras de consulta
Ciencia: cuestiones generales
Papelería, artículos de escritorio

Grundlagen Und Anwendungen Der Ferroelektrizität. Das Rauschen, Ein Ebenso Interessantes Wie Störendes Phänomen: 238. Sitzung Am 3. Dezember 1975 in D (en Alemán)

Horst E. Müser (Autor) · Vs Verlag Fur Sozialwissenschaften · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Grundlagen Und Anwendungen Der Ferroelektrizität. Das Rauschen, Ein Ebenso Interessantes Wie Störendes Phänomen: 238. Sitzung Am 3. Dezember 1975 in D (en Alemán)"

In the first place electronic noise is a disturbing effect in communica- tion systems. Investigating the noise, one has also the possibility of obtaining interesting explanations about physical phenomena. Thereby one should not forget, that a special form of noise - the BRoWNian movement - has given the final evidence for the existence of atoms, which was questionable for a long time. Using NYQUISTS theorem the noise of a system in thermodynamical equilibrium gives a useful method for the temperature measurement. Each dissipating process is correlated with a noise. Additional fluctua- tions are generated in solid state devices, while an electrical current is flowing. Here the noise in the low frequency range is typical for the mechanism under consideration. The semiconductor noise is not yet understood in all details. There some questions remain: Are the different forms of noise generated on the surface or in the volume of the sample? What is the origin of I If-noise ? The problem miniaturisation and noise; the origin of burst-noise.