Name: high voltage p-channel dmos-igbts in sic
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Author: yang sui
ISBN: 9783639107562

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portada high voltage p-channel dmos-igbts in sic

high voltage p-channel dmos-igbts in sic

Formato

Libro Físico

Editorial

vdm verlag

Autor

yang sui

N° páginas

132

ISBN

363910756X

ISBN13

9783639107562

Categorías

Ingeniería electrónica
Ciencias de la computación

high voltage p-channel dmos-igbts in sic

Yang Sui (Autor) · vdm verlag · Libro Físico

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Reseña del libro "high voltage p-channel dmos-igbts in sic"

sic has been an excellent material for power switching devices because of its wide bandgap and high breakdown field. sic power mosfets below 10 kv have been successfully developed and fabricated in the past decade. however, mosfets blocking above 10 k ...