Name: Ion Implantation and Activation: Volume 3 (en Inglés)
Price: 117090.00 CLP
Availability: InStock
Author: Suzuki, Kunihiro
ISBN: 9781608057931

portada Ion Implantation and Activation: Volume 3 (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Kunihiro Suzuki

Editorial

Bentham Science Publishers

Idioma

Inglés

N° páginas

214

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

27.9 x 21.6 x 1.4 cm

Peso

0.70 kg.

ISBN13

9781608057931

Categorías

Electrónica: circuitos y componentes

Ion Implantation and Activation: Volume 3 (en Inglés)

Kunihiro Suzuki (Autor) · Bentham Science Publishers · Tapa Blanda

Libro Físico

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Reseña del libro "Ion Implantation and Activation: Volume 3 (en Inglés)"

Ion Implantation and Activation - Volume 3 presents the derivation process of related models in a comprehensive step by step manner starting from the fundamental processes and moving up into the more advanced theories.Ion implantation can be expressed theoretically as a binary collision, and, experimentally using various mathematical functions. Readers can understand how to establish an ion implantation database by combining theory and experimental data. The third volume of the series describes the diffusion phenomenon under the thermal equilibrium on point defect concentration and the features of transient enhanced diffusion (TED). The volume also presents methods for the oxidation and redistribution of impurities in polycrystalline silicon for extraction as well as some analytical models related to the VLSI process. This book provides advanced engineering and physics students and researchers with complete and coherent coverage of modern semiconductor process modeling. Readers can also benefit from this volume by acquiring the necessary information to improve contemporary process models by themselves.