Name: Low Power and Reliable Sram Memory Cell and Array Design (Springer Series in Advanced Microelectronics, 31) (en Inglés)
SKU: 62115812
Price: 121640.00 CLP
Availability: InStock
Author: Ishibashi Koichiro,Osada Kenichi
ISBN: 9783642270185

portada Low Power and Reliable Sram Memory Cell and Array Design (Springer Series in Advanced Microelectronics, 31) (en Inglés)

Low Power and Reliable Sram Memory Cell and Array Design (Springer Series in Advanced Microelectronics, 31) (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Springer

Autor

Ishibashi Koichiro,Osada Kenichi

Idioma

Inglés

N° páginas

156

Encuadernación

Tapa Blanda

ISBN13

9783642270185

Low Power and Reliable Sram Memory Cell and Array Design (Springer Series in Advanced Microelectronics, 31) (en Inglés)

Ishibashi Koichiro,Osada Kenichi (Autor) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Low Power and Reliable Sram Memory Cell and Array Design (Springer Series in Advanced Microelectronics, 31) (en Inglés)"

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.