Name: silicon carbide 2008 materials, processing and devices: volume 1069 (en Inglés)
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Availability: InStock
Author: Dudley, Michael ; Johnson, C. Mark ; Powell, Adrian R.
ISBN: 9781605110394

portada silicon carbide 2008 materials, processing and devices: volume 1069 (en Inglés)

silicon carbide 2008 materials, processing and devices: volume 1069 (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Ilustrado por

Michael Dudley

C. Mark Johnson

Adrian R. Powell

Editorial

Cambridge University Press

Autor

Dudley, Michael ; Johnson, C. Mark ; Powell, Adrian R.

Año

2008

Idioma

Inglés

N° páginas

283

Encuadernación

Tapa Dura

Dimensiones

23.4x15.7x2 cm

Peso

0.52 kg.

ISBN

1605110396

ISBN13

9781605110394

Categorías

Ciencia de materiales

silicon carbide 2008 materials, processing and devices: volume 1069 (en Inglés)

Michael Dudley (Ilustrado por) · C. Mark Johnson (Ilustrado por) · Adrian R. Powell (Ilustrado por) · Cambridge University Press · Tapa Dura

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Reseña del libro "silicon carbide 2008 materials, processing and devices: volume 1069 (en Inglés)"

Silicon carbide (SiC) is a robust semiconductor material being actively developed for high-power and high-temperature applications, especially in the field of power electronics and sensors for harsh environments. This book, the fifth in a continuing series, focuses on SiC growth, defects, and devices. New developments in the growth of bulk SiC single-crystal materials, advances in the epitaxial growth of SiC, and progress in the characterization of materials properties and defects in SiC are featured. The volume also highlights the development of devices manufactured on this wide-bandgap semiconductor including: innovative device designs; characterization of device and materials properties; and improvements in wide-bandgap processing technology.